单伟伟简介

发布者:方文凯发布时间:2013-06-20浏览次数:17550

基本资料

姓名:单伟伟性别:
学历:博士生日:1982.2
职称:教授职务:教研室副主任
电话:025-83793265Email:wwshan@seu.edu.cn

研究方向
SoC芯片低功耗技术、近阈值到宽电压集成电路设计、高能效智能芯片和信息安全芯片设计。
个人简历

1999.9-2003.6,天津大学电信学院,获工学学士学位;

2003.0-2009.1 清华大学微电子学研究所,硕博连读,获工学博士学位;

2007.8-2008.8 美国马里兰大学 ECE学院,联合培养博士生;

2009.2-2012.3 东南大学电子科学与工程学院,讲师;

2012.4-2019.5 东南大学电子科学与工程学院,副教授;

2013.1-至今东南大学电子科学与工程学院,硕导、博导;

2019.6-至今东南大学电子科学与工程学院,教授;

2018.2-2019.2 美国哥伦比亚大学,访问学者。

研究成果

     目前主持国家重大专项“面向智能终端的嵌入式高能效深度学习引擎开发与产业化”;主持江苏省杰出青年基金项目;主持国家自然科学基金面上项目:语音唤醒人工智能芯片的极低功耗设计技术“近阈值超宽电压电路的PVT偏差弹性设计方法研究”、“基于自适应双向时钟拉伸的VLSI时序余量片上消除方法及其电路实现”等。

    近五年来累计在28nm40nm工艺(包括TSMCSMIC)成功流片9次,在近阈值到宽电压低功耗定制电路、自适应电压调节芯片、高能效加密电路、和高能效智能芯片等方面积累了丰富经验,流片测试结果均发表在IEEE transactions高水平期刊和著名会议上。

在集成电路最顶级国际会议ISSCC2020上发表论文一篇(一作),并评为Highlight论文;在顶级期刊JSSC (IEEE Journal of solid-state circuits)上发表论文3篇(一作),其他IEEE transactions上发表若干篇。代表东南大学首次突破集成电路旗舰会议VLSI symposiumDAC两大会议。

2014年国家科技进步二等奖和2018年江苏省科学技术奖一等奖;获A-SSCC2017杰出设计奖和GLSVLSI2018最佳论文候选奖;入选2012年江苏省高校'青蓝工程'优秀青年骨干教师培养对象。授权美国发明专利5项,中国发明专利30余项。



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