长期专注于功率集成器件及电路的基础理论与关键技术研究,已发表SCI论文33" />

祝靖简介

发布者:周星竹发布时间:2019-02-23浏览次数:5187

个 人 简 历

  

基本资料

·姓名: 祝靖

·性别: 男

·出生年月:1986.08

·民族:汉

·职称: 副教授,博导

·学历: 博士研究生

·职务: IEEE ISPSD TPC Member (2018now)

·联系电话: 15306180613

·E- mail zhuj@seu.edu.cn

 

个人简历

2004年—2008年,山东大学,集成电路设计与系统,本科;

2008年—2011年,东南大学,微电子学与固体电子学,硕士研究生;

2011年—2015年,东南大学,微电子学与固体电子学,博士研究生;

2015年—2018年,东南大学,电子科学与工程学院、微电子学院,讲师,硕士生导师。

2018年—      ,东南大学,电子科学与工程学院、微电子学院,副教授(破格),博士生导师,东南大学“至善青年学者”。

【 研究方向

  • 功率集成电路研究;

  • Si/GaN/SiC 高压栅驱动芯片研究;

  • 功率集成工艺与功率器件研究;

研究成果

长期专注于功率集成器件及电路的基础理论与关键技术研究,已发表SCI论文33篇,其中第一作者17篇。功率半导体领域顶级会议ISPSD等国际会议上发表论文11篇。已获授权美国发明专利3项、中国发明专利50项,其中第一发明人14项。基于核心研究成果研发的高低压兼容集成工艺平台及高压驱动芯片技术已在国内多家公司应用。近五年,主持江苏省自然基金1项,国家自然基金2项,参与省部项目6项。

  • 重要项目承担情况

  1. 国家自然基金面上项目,《GaN功率器件用高压驱动芯片高侧驱动技术理论模型与新结构研究》

  2. 国家自然基金青年基金,《基于三维载流子注入理论的新型功率SOI-LIGBT器件结构与模型研究》

  3. 国家装备发展部,《氮化镓******技术研究》

  4. 江苏省自然基金青年基金,《新型多沟道功率SOI-LIGBT器件结构与模型研究》

  5. 江苏省集成创新项目,《智能功率驱动芯片及模块的研发与产业化》

  6. 香港应用科学技术研究院项目,《On-chip DC-DC Converter Design for Cellular IoT Application Using 55nm CMOS Technology

  • 近三年代表性一作SCI论文

  1. Study and implementation of 600V high voltage gate driver IC with the common mode dual-interlock technique for GaN Devices,IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2020.

  2. NoiseImmunityanditsTemperatureCharacteristicsStudyoftheCapacitive-LoadedLevelShiftCircuitforHighVoltage Gate Drive IC, IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2018, 65(4). pp.3027-3024

  3. An integrated bootstrap diode emulator for 600V high voltage gate drive IC with P-sub/P-epi technology, IEEE Transactions on Power Electronics, 2016, 31(1).pp.518 – 523.

  4. Further Study of the U-Shaped ChannelSOI-LIGBT With enhanced current density forHigh voltage Monolithic ICs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(3)

  5. Electrical Characteristic Study of an SOI-LIGBT with segmented Trenches in the Anode Region, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(12),pp.2003 – 2008.

  6. High Voltage Electron Injection Enhanced TC-LIGBT on 1.5um Thin SOI layer for reducing the Forward voltage Drop, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016,63(12):4873-4879