【基本资料】 | |
·姓名：国洪轩 ·性别：男 ·出生年月：1979/09 ·民族：汉 ·职称: 副研究员 ·学历：博士研究生 ·职务:无 ·联系电话：+86-25-83792632-8817 ·E- mail ： ghx@seu.edu.cn |
|
【个人简历】 | |
2001年获得山东大学学士学位，2001年7月至2003年9月，就职于山大鲁能信息科技有限公司，从事光学晶体加工工艺研发工作，2006年获得山东大学硕士学位，2009年9月获得南京大学博士学位，研究方向为阻变存储器件的设计和制备。 2009年10月至2014年9月于日本国立材料研究所进行博士后研究，研究方向为表面分析技术。2014年10月至2019年9月于美国国家标准技术研究院进行博士后研究，研究方向为原位测量技术和器件设计。
| |
【 研究方向】 | |
研究方向：原位测量技术，MEMS微流道器件设计与制备，材料表面分析技术，阻变存储器件制备技术。
| |
【研究成果】 | |
研究成果：以上研究内容发表于Nano Letters, Scientific Reports, ACS Advanced Materials and Interfaces, Applied Physics Letters 等期刊。并担任Scientific Reports，Applied Physics Letters等期刊审稿人。
| |
