【基本资料】 | |
·姓名：黄风义 ·性别：男 ·出生年月：1964年12月 ·民族： 汉族 ·职称: 教授 ·学历：博士 ·职务:射频与光电集成电路研究所副所长 ·联系电话：13645179658 ·E- mail ：fyhuang@seu.edu.cn |
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【个人简历】 | |
黄风义，男，1964年12月生，博导。 东南大学射频与光电集成电路研究所，副所长。 在北京大学获得学士学位，在复旦大学获得硕士学位。 在美国UIUC获博士学位，在UCLA做过博士后研究。 97年加入美国（纽约）IBM公司，作为SiGe项目组主要高级工程师之一，为开发出国际领先的BiCMOS技术作出重要贡献。 在国际一流期刊上发表论文50多篇，被SCI收录50多篇，被SCI他引超过500篇次。获美国发明专利9项。 在CMOS射频模型领域取得的成果发表在国际集成电路领域最著名的IEEE J. Solid State Circuits, 2006，是以大陆为依托单位在此杂志发表的第二篇论文，被《科技导报》遴选为“2006年中国重大科学进展”之一。 黄风义教授负责了多项国家科技重大专项以及科技部863项目，例如负责国家科技重大专项：从第一期移动通信领域（03专项）重大专项开始，负责“面向IMT-A等宽带无线通信系统的射频芯片、器件与模块研发”； 参与承担国家科技重大专项：“TD-LTE-A终端射频芯片工程样片研发”等。 获奖情况： 核高基重大专项（核心电子器件）评审专家； 2009年荣获“国务院特殊津贴”荣誉称号； 2006年江苏省六大人才高峰行动计划资助人选 1999年IBM微电子部总经理杰出贡献奖 1989年英国“海外留学生研究奖” 1988年“李政道物理学奖” 学术任职： 1. IEEE Photonic West (San Jose), Si-based optoelectronics, subcommittee member,年会组委会成员，1998 2. IEEE Photonic West (San Jose), Si-based optoelectronics, subcommittee member,年会组委会成员，1999 3. IEEE Electron Device Lett. 审稿人 4. Applied Physics Letters审稿人 5. Journal of Applied Physics审稿人 6. Electronics Letters审稿人 | |
【 研究方向】 | |
黄风义教授主要从事射频/微波集成电路的设计以及器件模型的研究，在CMOS无源器件射频模型参数提取领域取得显著成果。 课题组主要从事射频/微波/毫米波收发前端集成电路研究，工作频率涵盖高频毫米波/太赫兹，针对多种通信模式、雷达、传感、或其他应用，研究射频收发机的系统集成。 | |
【研究成果】 | |
（1）在晶体管的毫米波GaN模型技术方面，取得了国际上具有一定突破性的进展，成果发表在2016年的IEEE EDL。 （2）传输线、电阻及电感模型参数提取领域取得国际原始创新性成果。针对传输线、电感等元件，在国际上首先提出了一种特征函数解析法，可以有效分析传输线、电阻以及电感等无源器件模型的准确性，并提取相应的等效电路元件参数。此方法可以避免传统方法中的迭代拟合的数值方法所产生的多值解及不收敛等问题，特别是为高频下的寄生效应，提供了一种模型优化和完善的物理机制。成果在集成电路领域国际最著名的杂志IEEE JSSC 《固态线路杂志》发表（2006年10月刊）（IEEE JSSC,vol.41, no.10, 2272-2283,Oct.2006）。 （3）在国际上首先引入了衬底寄生电感效应，可以很好解释特征函数中传统模型所无法解释的非线性效应。相关成果发表在国际微电子领域权威的IEEE Electron Device Lett. (2007年)，成果评价：此成果被中国科学技术学会会刊、中国科技核心期刊《科技导报》遴选为“2006年中国重大科学进展”之一。 （4）设计并流片实现了多模、多频段射频收发前端芯片及模块，带宽200MHz以上，完成LTE传输验证。 （5）针对5G候选频段，已完成射频芯片的设计与流片 | |
