张龙简介

发布者:方文凯发布时间:2021-04-14浏览次数:863

个 人 简 历

  

基本资料

·姓名: 张龙

·性别: 男

·出生年月:1986.06

·民族: 汉

·职称: 副教授

·学历: 博士

·职务:

·联系电话: 18868127091

·E- mail longzh@seu.edu.cn

 

个人简历

张龙,东南大学,副教授,中国电子学会高级会员。2010于中国矿业大学电气工程及其自动化专业学士学位,2013于东南大学集成电路工程专业获硕士学位,2013-2014年就职于美国芯源系统有限公司(MPS2018年于东南大学微电子学与固体电子学获博士学位2018-2019香港科技大学从事访问学者科研工作,2018-2020年于东南大学从事博士后科研工作,2020年博士后出站东南大学任教,副高级职称,教学科研岗专任教师目前在东南大学电子科学与工程学院国家ASIC工程中心功率集成电路研发部孙伟锋教授团队从事教学与科研工作。

【 研究方向

  • 功率半导体器件与可靠性(如DMOSIGBT,快恢复二极管等)

  • 横向功率半导体器件与工艺集成(如LDMOSLIGBT,高低压隔离结构,BCD工艺,SOI基器件)

  • 氮化镓(GaN)分立器件与全集成技术

  • 碳化硅(SiC)分立器件与全集成技术

研究成果


科研成果:2020年底累计发表SCI论文45篇,发表会议论文19篇,申请中国发明专利23项。2020年入选“电子信息前沿青年学者出版工程”,2019年获“中国电子学会优秀博士学位论文”,2019年获“东南大学优秀博士学位论文”。主持国家自然科学基金1项,中国博士后科学基金面上基金和特别资助各1项,江苏省博士后科研资助项目1项,参与国家/省部级项目4项。

项目经历:从事过600V超结VDMOS80/40V Trench gate DMOSsmart DMOS chip100V/200V/600V/1200V体硅高低压集成工艺与器件,550V SOI全集成工艺及高压器件等项目的研发。目前从事SOI高压器件(IGBT,快恢复二极管,DMOS,隔离结构),SiC集成器件和工艺,GaN集成器件和工艺的开发和研究。

亮点工作:与无锡华润上华半导体有限公司合作开发了国内首个550V高压SOI Bipolar-CMOS-DMOS-IGBTBCDI)工艺平台(2014-2020年),所研发的高压SOI-LIGBT器件关断速度、电流密度、短路能力均已领先于国外同类产品,并完成了单片智能功率芯片的验证,2021年初实现了该类芯片的国产化。

SCI论文代表作:

Long Zhang, J. Zhu, W. Sun, M. Chen, M. Zhao, X. Huang, J. Chen, Y. Qian, and L. Shi, "Novel Snapback-Free Reverse-Conducting SOI-LIGBT With Dual Embedded Diodes," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 3, pp. 1187-1192, Mar. 2017, doi: 10.1109/ted.2017.2648851.

Long Zhang, J. Zhu, W. Sun, M. Zhao, J. Chen, X. Huang, D. Ding, J. Chen, and L. Shi, "A U-Shaped Channel SOI-LIGBT With Dual Trenches," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 6, pp. 2587-2591, Jun. 2017, doi: 10.1109/ted.2017.2696258.

Long Zhang, J. Zhu, W. Sun, M. Zhao, J. Chen, X. Huang, L. Shi, J. Chen, and D. Ding, "Low-Loss SOI-LIGBT With Dual Deep-Oxide Trenches," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 8, pp. 3282-3286, Aug. 2017, doi: 10.1109/ted.2017.2712568.

Long Zhang, J. Zhu, M. Zhao, S. Liu, W. Sun, and L. Shi, "Low-Loss SOI-LIGBT With Triple Deep-Oxide Trenches," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 9, pp. 3756-3761, Sep. 2017, doi: 10.1109/TED.2017.2731518.

Long Zhang, J. Zhu, S. Cao, J. Ma, S. Li, S. Liu, W. Sun, J. Zhao, and L. Shi, "Optimization of VCE Plateau for Deep-Oxide Trench SOI Lateral IGBT During Inductive Load Turn-OFF," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 9, pp. 3862-3868, Sep. 2018, doi: 10.1109/ted.2018.2857838.

Long Zhang, J. Zhu, J. Ma, S. Cao, A. Li, Y. Zou, S. Li, W. Sun, J. Zhao, L. Shi, Y. Gu, and S. Zhang, "500-V Silicon-On-Insulator Lateral IGBT With W-Shaped n-Typed Buffer and Composite p-Typed Collectors," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 3, pp. 1430-1434, Mar. 2019, doi: 10.1109/ted.2018.2890545.

Long Zhang, J. Zhu, J. Ma, S. Cao, A. Li, S. Li, R. Ye, W. Sun, J. Zhao, and L. Shi, "Turn-Off Transient of Superjunction SOI Lateral IGBTs: Mechanism and Optimization Strategy," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 3, pp. 1409-1415, Mar. 2019, doi: 10.1109/ted.2019.2894813.

Long Zhang, J. Zhu, S. Cao, J. Ma, A. Li, J. Wei, G. Lyu, S. Li, S. Li, J. Wei, W. Wu, W. Sun, and K. Chen, "Mechanism and Novel Structure for di/dt Controllability in U-Shaped Channel Silicon-on-Insulator Lateral IGBTs," IEEE Electron Device Lett., vol. 40, no. 10, pp. 1658-1661, Oct. 2019, doi: 10.1109/led.2019.2937399.