国洪轩职务:
单位:
电话:+86-25-83792632-8817
出生年月:
邮箱:ghx@seu.edu.cn
学历:博士
地址:
职称:副研究员
教育经历 2001年获得山东大学学士学位 2006年获得山东大学硕士学位,2009年9月毕获得南京大学博士学位,研究方向为阻变存储器件的设计和制备。 2009年10月至2014年9月于日本国立材料研究所进行博士后研究,研究方向为表面分析技术。 2014年10月至2019年9月于美国国家标准技术研究院进行博士后研究,研究方向为原位测量技术和器件设计。
研究领域或方向 原位测量技术,微流道器件设计与制备,材料表面分析技术,阻变存储器件制备技术。
研究成果 研究内容发表于Nano Letters, Scientific Reports, ACS Advanced Materials and Interfaces, Applied Physics Letters 等期刊。并担任Scientific Reports, Applied Physics Letters等期刊审稿人。
2001年获得山东大学学士学位 2001年7月至2003年9月,就职于山大鲁能信息科技有限公司,从事光学晶体加工工艺研发工作 2006年获得山东大学硕士学位,2009年9月毕获得南京大学博士学位,研究方向为阻变存储器件的设计和制备。 2009年10月至2014年9月于日本国立材料研究所进行博士后研究,研究方向为表面分析技术。 2014年10月至2019年9月于美国国家标准技术研究院进行博士后研究,研究方向为原位测量技术和器件设计。
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